X射線(xiàn)晶體定向儀利X射線(xiàn)衍射原理,精密快速地測(cè)定天然和人造單晶(壓電晶體、光學(xué)晶體、激光晶體、半導(dǎo)體晶體)的切割角度，與切割機(jī)配備可用于上述晶體的定向切割，是精密加工制造晶體器件*的儀器。該儀器廣泛應(yīng)用于晶體材料的研究、加工、制造行業(yè)。
　　
　　X射線(xiàn)晶體定向儀測(cè)量精度±30″，顯示方式為數(shù)字式，zui小讀數(shù)為10″。
　　
　　X射線(xiàn)晶體定向儀改進(jìn)測(cè)角儀結(jié)構(gòu)，增加了承重軌道，X光管管套，支架體，樣品臺(tái)升高，可測(cè)量1~30公斤，2~8英寸直徑的樣品。角度顯示：數(shù)字方式，測(cè)量精度±30″。
　　
　　X射線(xiàn)晶體定向儀產(chǎn)品特點(diǎn)
　　
　　操作簡(jiǎn)便，數(shù)字顯示角度，容易觀(guān)察。顯示器可在任一位置調(diào)零，便于顯示晶片角度偏差值。雙測(cè)角儀可同時(shí)工作，提高了效率。具有峰值放大的特殊積分器，提高了檢測(cè)精度。X光管與高壓電纜一體化，增加高壓可靠性，探測(cè)器高壓采用DC高壓模塊，真空吸氣樣品板，提高了測(cè)角精度與速度。
　　
　　使用條件
　　
　　◆環(huán)境溫度：2℃～30℃；
　　
　　◆相對(duì)濕度：不大于70%；
　　
　　◆供電線(xiàn)路中不得有電焊機(jī)，高頻爐等設(shè)備引起的高頻和電弧干擾；
　　
　　◆電源：?jiǎn)蜗蚪涣?20V，50Hz，電源電壓波動(dòng)不大于10%，電源容量不低于0.5kVA，有良好的接地裝置，接地電阻不大于4Ω。
　　
　　X射線(xiàn)晶體定向儀可配不同樣品臺(tái)：
　　
　　◆TA型樣品臺(tái)
　　
　　按圓棒狀晶體所設(shè)計(jì)，樣品臺(tái)帶有承重軌道，可測(cè)重1~30公斤，直徑2~6英寸（可增加到8英寸）晶棒，在樣品臺(tái)上加有真空吸氣裝置。該型號(hào)測(cè)角儀可測(cè)量棒狀晶體的參考面，也可測(cè)量片狀晶片的表面。
　　
　　◆TB型樣品臺(tái)
　　
　　按圓棒狀晶體所設(shè)計(jì)，樣品臺(tái)帶有承重軌道，并加有V型支承導(dǎo)軌，可測(cè)重1~30公斤，直徑2~6英寸（可增加到8英寸），長(zhǎng)度為500mm的晶棒，在樣品臺(tái)上加有真空吸氣裝置，該型號(hào)測(cè)角儀可測(cè)量棒狀晶體的端面，也可測(cè)量片狀晶片的表面。
　　
　　◆TC型樣品臺(tái)
　　
　　主要用于硅及藍(lán)寶石等單晶片的外圓參考面的檢測(cè)，吸氣盤(pán)上接收X射線(xiàn)的位置采用開(kāi)放式設(shè)計(jì)，克服了吸氣盤(pán)遮擋X射線(xiàn)和定位不準(zhǔn)的問(wèn)題，滿(mǎn)足不同規(guī)格晶片參考邊的檢測(cè)。樣品臺(tái)的吸氣泵可把2~8英寸的晶片吸住，使檢測(cè)更加準(zhǔn)確。
　　
　　◆TD型樣品臺(tái)
　　
　　主要用于硅和藍(lán)寶石等晶片的多點(diǎn)測(cè)量，晶片可在樣品臺(tái)上手動(dòng)旋轉(zhuǎn)，如0°、90°、180°、270°等，可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)晶片的特殊測(cè)量需求。